碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平成熟，应用广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下---理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可---降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源---”的“绿色能源器件”。
碳化硅的性能，碳化硅是由该化学物的电子结构特点所决定的，江西碳化硅，形成碳化硅的碳元素和硅元素.具了解：碳和硅的四面体半径相应地等于0.77和1.17a，因此si-c之间的距离等于0.77+1.17=1.94a。
纯碳化硅是无色透明的晶体，碳化硅的特点是共价键，主要呈四面体方位的其他晶体具有删锌矿和纤维矿同晶形的结构。就能量性质而言，碳化硅是介于金刚石和硅之间。更接近于金刚石。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-sic和立方体的β-sic(称立方碳化硅)。
焙烧料法的缺点是炉料运输量大，成分波动大，增加了取样，分析的工作量，而且每炉的配方都要变动。
在冶炼时选择碳化硅的原料是很重要的一步，原料的好坏直接影响碳化硅的，所以一定要注重原料的，碳化硅生产厂家，同时在进行冶炼的时候一些细节问题我们一定要注重，不可因为我们的疏忽，造成对碳化硅的影响。
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在冶炼时选择碳化硅的原料是很重要的一步，原料的好坏直接影响碳化硅的，碳化硅加工，所以一定要注重原料的，同时在进行冶炼的时候一些细节问题我们一定要注重，不可因为我们的疏忽，造成对碳化硅的影响。
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