碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅（sic）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对sic的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，黑碳化硅，美国、欧洲、日本等不仅从层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业---也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400v。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
碳化硅的性能，碳化硅是由该化学物的电子结构特点所决定的，形成碳化硅的碳元素和硅元素.具了解：碳和硅的四面体半径相应地等于0.77和1.17a，上海碳化硅，因此si-c之间的距离等于0.77+1.17=1.94a。
纯碳化硅是无色透明的晶体，碳化硅耐火材料，碳化硅的特点是共价键，主要呈四面体方位的其他晶体具有删锌矿和纤维矿同晶形的结构。就能量性质而言，碳化硅是介于金刚石和硅之间。更接近于金刚石。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-sic和立方体的β-sic(称立方碳化硅)。
碳化硅质耐火材料的透气率对其在使用过程中的稳定性有很大的意义。除了气孔率以外，碳化硅多少钱一吨，透气率决定着坯体的结构(其作用大于气孔率)及其加热时的氧化能力。
透气率的降低，尤其当降低的数值时，---地降低着碳化硅质制品在高温(1500- 1600℃)时的氧化度。于较低的温度时，透气率值的影响较小。
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